粉末技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展，已經(jīng)形成多樣化的制備及加工技術(shù)。其中，表面包覆技術(shù)作為提升粉末物理化學(xué)性能的重要手段，長期以來一直缺乏有效的精密手段。與傳統(tǒng)的表面改性不同，粉末原子層沉積技術(shù)PALD 是真正可以實(shí)現(xiàn)原子級/分子層級控制精度的粉末涂層技術(shù)，并保持良好的共形性。

粉末原子層沉積有哪些應(yīng)用？

低成本的規(guī)模化粉末原子層沉積包覆技術(shù)，目前已廣泛應(yīng)用于鋰電、催化、金屬、制藥等領(lǐng)域。

1.鋰電電極材料包覆

電池?作時(shí)，內(nèi)部產(chǎn)?的有害反應(yīng)如過渡?屬溶解、鋰損失和固體電解質(zhì)膜（SEI）過度生?，會導(dǎo)致電池性能下降，甚?帶來安全隱患。

原?層沉積（ALD）?藝可應(yīng)?于多種正負(fù)極粉末材料、固態(tài)電解質(zhì)和隔膜等，具有提高電池性能、延?電池周期壽命、減少?體?成、減緩鋰不可逆損耗和?電壓、?作穩(wěn)定性等優(yōu)勢。

粉末原子層沉積技術(shù)在硅負(fù)極材料表面包覆均勻氧化鋁涂層

2.提升催化劑性能

通過粉末原子層沉積PALD 技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)催化劑粉末材料表?的涂層或活性位點(diǎn)制備。?論是在化?品催化或典型的制氫 / 燃料電池中以及納?級催化劑存在燒結(jié)或者浸出問題，使? ALD 技術(shù)都可以在典型的如 Pd / Al2O3 催化劑表?構(gòu)筑涂層，可避免催化劑的燒結(jié)與浸出，從?使實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的芳烴氫化反應(yīng)。

粉末原子層沉積PALD常見應(yīng)用場景：全包覆鈍化，活性組分，催化劑殼層

3.金屬粉末

金屬粉末在包括粉末冶金，光伏，MLCC 漿料等領(lǐng)域都有較多應(yīng)用。原?層沉積技術(shù)為 ?屬/陶瓷粉末原料提供了多種改進(jìn)?案：粉末流動(dòng)性、防潮/抗氧化性、燒結(jié)改善界?、減少夾雜物。

原子層沉積技術(shù)改善3D打印粉末性能

4.制藥粉末包覆

制藥?業(yè)依賴于對活性藥物成分 (API) 以及各種輔藥在內(nèi)的藥物粉末進(jìn)?加?。藥物粉末被加?成?囊，?劑、丸劑、吸?劑或眼科治療劑（滴眼液）。由于藥粉多為有機(jī)固體，其流動(dòng)性、潤濕性、壓實(shí)性和分散性較差，精確劑量的藥粉制造?藝既昂貴?耗時(shí)。通過粉末原子層沉積 PALD 技術(shù)可以改善粉末的流動(dòng)性、壓實(shí)性和顆粒分散性。

粉末原子層沉積（PALD ）及 分子層沉積（MLD） 技術(shù)對于藥物潤濕性的改善